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内存技术取得新进展：12层HBM4样品亮相 下半年即将量产
责编：陈凯欣
2025-03-20
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SK海力士近日向其主要客户英伟达交付了第六代高带宽存储芯片——12层HBM4的样品。这款产品的发布标志着半导体行业在先进内存解决方案领域迈出了重要一步。
12层HBM4芯片凭借卓越的速度和容量，被誉为"技术奇迹"。该产品每秒可处理超过2TB的数据，相当于一秒钟内完成对400多部全高清电影数据的处理，较前一代HBM3E提升了60%以上的性能。这一突破得益于将数据传输走线数量增加至2,048条。
值得注意的是，12层HBM4是SK海力士与台积电合作后的首个成果。目前，台积电已掌握生产控制HBM4底部数据移动的关键基模技术。
SK海力士社长兼首席营销官Kim Joo-sun表示："我们始终致力于突破技术瓶颈，以满足客户的多样化需求。"
从产品发展历程来看，SK海力士自第三代产品HBM2E开始便采用先进的MR- MUF工艺，并在此基础上不断优化散热和稳定性，成功解决了大容量存储器生产的诸多难题。
自2022年推出第四代HBM3以来，SK海力士一直保持着在该领域的领先地位。2024年又实现了第五代HBM3E 8层和12层产品的量产。
据透露，SK海力士计划于今年下半年完成12层HBM4的批量生产准备工作。这一时间表较原计划提前了6个月，主要是因为主要客户英伟达首席执行官的特别要求，体现了市场对尖端存储技术的迫切需求。
SK海力士与英伟达之间稳定的合作关系，也印证了人工智能和高性能计算技术发展推动的市场需求增长。作为GPU和AI技术领域的领导者，英伟达对于支持先进应用的更快、更高效的内存解决方案的需求日益强烈。
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